FK350601 Todos los transistores

 

FK350601 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FK350601

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 7 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 12 Ohm

Encapsulados: SMINI3-F2-B

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FK350601 datasheet

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FK350601

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). FK350601 Silicon N-channel MOS FET For switching circuits Overview Package FK350601 is N-channel small signal MOS FET employed small size surface Code mounting package. SMini3-F2-B Pin Name Features 1 Gate Low drain-source ON resistance RDS(on) typ. = 6 W (VGS = 4.0 V) 2 Source High-spe

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FK350601

Doc No. TT4-EA-12624 Revision. 3 Product Standards MOS FET FK3506010L FK3506010L Silicon N-channel MOS FET Unit mm For switching 2.0 FK330601 in SMini3 type package 0.3 0.13 3 Features Low drive voltage 2.5 V drive Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL Level 1 compliant) 12 Marking Symbol CV 0.9 (0.65)(0.65) Packaging 1.3 Emb

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FK350601

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). FK350301 Silicon N-channel MOS FET For switching circuits Overview Package FK350301 is N-channel small signal MOS FET employed small size surface Code mounting package. SMini3-F2-B Package dimension clicks here. Click! Features Low drain-source ON resistance RDS(on) typ. = 2 W (VGS = 4.0 V) Pin

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