FK3906010L Todos los transistores

 

FK3906010L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FK3906010L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 7 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 12 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-89
 

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FK3906010L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:324K  panasonic
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FK3906010L

Doc No. TT4-EA-12654Revision. 3Product StandardsMOS FETFK3906010LFK3906010LSilicon N-channel MOSFETUnit : mm For switching1.6FK350601 in SSMini3 type package0.26 0.133 Features Low drive voltage : 2.5 V drive Halogen-free / RoHS compliant(EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL:Level 1 compliant)12 Marking Symbol :CV0.7(0.5)(0.5) Packaging1.0 Emb

 6.1. Size:530K  panasonic
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FK3906010L

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).FK390601Silicon N-channel MOS FETFor switching circuits Overview PackageFK390601 is N-channel small signal MOS FET employed small size surface Codemounting package. SSMini3-F3-B Pin Name Features 1: Gate Low drain-source ON resistance: RDS(on) typ. = 6 W (VGS = 4.0 V) 2: Source High-sp

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History: NCE60NF200K | AON6458 | TDM3744 | AON6572 | STN1HNK60 | IXTH86N25T | IPD06N03LBG

 

 
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