FK3906010L Todos los transistores

 

FK3906010L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FK3906010L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 7 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 12 Ohm

Encapsulados: SC-89

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FK3906010L datasheet

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FK3906010L

Doc No. TT4-EA-12654 Revision. 3 Product Standards MOS FET FK3906010L FK3906010L Silicon N-channel MOSFET Unit mm For switching 1.6 FK350601 in SSMini3 type package 0.26 0.13 3 Features Low drive voltage 2.5 V drive Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL Level 1 compliant) 12 Marking Symbol CV 0.7 (0.5)(0.5) Packaging 1.0 Emb

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FK3906010L

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). FK390601 Silicon N-channel MOS FET For switching circuits Overview Package FK390601 is N-channel small signal MOS FET employed small size surface Code mounting package. SSMini3-F3-B Pin Name Features 1 Gate Low drain-source ON resistance RDS(on) typ. = 6 W (VGS = 4.0 V) 2 Source High-sp

Otros transistores... FK330309 , FK330601 , FK3306010L , FK350301 , FK350601 , FK3506010L , FK360602 , FK390601 , STP80NF70 , FK3F0301 , FK3F0308 , FK4B0110 , FK4B0111 , FK4B0112 , FK6K0201 , FK6K02010L , FK6K0612 .

History: CS20N65V

 

 

 

 

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