FK4B0110 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FK4B0110
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.36 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
Paquete / Cubierta: XLGA004
Búsqueda de reemplazo de MOSFET FK4B0110
FK4B0110 Datasheet (PDF)
fk4b0110.pdf
Doc No. TT4-EA-14954Revision. 2Product StandardsMOS FETFK4B01100LFK4B01100LSingle N-channel MOS FETUnit: mmFor oad switching circuits0.804 3TOP Features Low Drain-source ON resistance:RDS(on) typ. = 27 m(VGS = 2.5 V)1 2 CSP (Chip Size Package) RoHS compliant (EU RoHS / MSL:Level 1 compliant)0.20 Marking Symbol: 1ABOTTOM Packagin
fk4b0112.pdf
Doc No. TT4-EA-14956Revision. 1Product StandardsMOS FETFK4B01120LFK4B01120LSingle N-channel MOS FETUnit: mmFor Load switching circuits1.034TOP Features Low Drain-source ON resistance:RDS(on) typ. = 17mVGS = 2.5 V)1 2 CSP (Chip Size Package) RoHS compliant (EU RoHS / MSL:Level 1 compliant)0.253 4 Marking Symbol: 1CBOTTOM2 1 Pa
fk4b0111.pdf
Doc No. TT4-EA-14955Revision. 1Product StandardsMOS FETFK4B01110LFK4B01110LSingle N-channel MOS FETUnit: mmFor Load switching circuits0.604 3TOP Features Low Drain-source ON resistance:RDS(on) typ. = 57m(VGS = 2.5 V)1 2 CSP (Chip Size Package) RoHS compliant (EU RoHS / MSL:Level 1 compliant)0.15 Marking Symbol: 1BBOTTOM Packaging
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Liste
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