FK6K0201 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FK6K0201
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 155 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0175 Ohm
Paquete / Cubierta: WSMINI6-F1-B
- Selección de transistores por parámetros
FK6K0201 Datasheet (PDF)
fk6k0201.pdf

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).FK6K0201Silicon N-channel MOS FETFor switch circuits Overview PackageFK6K0201 is N-channel signal type MOS FET employed small size surface Codemounting package. WSMini6-F1-B Pin Name 1: Drain 4: Source Features 2: Drain 5: Drain Low drain-source ON resistance: RDS(on) typ. = 13 mW (VGS =
fk6k02010l.pdf

Doc No. TT4-EA-12566Revision. 2Product StandardsMOS FETFK6K02010LFK6K02010LSilicon N-channel MOS FETUnit : mm 2.0For switching0.2 0.136 5 4 Features Low drain-source On-state Resistance:RDS(on)typ. = 13 m VGS = 4.5 V) Low drive voltage: 2.5 V drive Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL : Level 1 compliant)1 2 30.7
fk6k0612.pdf

Doc No. TT4-EA-14979Revision. 1Product StandardsMOS FETFK6K06120LFK6K06120LSingle N-channel MOS FET Package dimensionUnit: mmFor lithium-ion secondary battery protection circuitsFor load switching 2.00.2 0.136 5 4 Features Low drain-source ON resistance:RDS(on) typ. = 60 m (VGS = 4.5 V) Low drive voltage: 2.5 V drive RoHS compliant (EU RoHS / UL-94
Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: SVS65R380DD4TR | FDMQ8203 | AOB418 | 2SJ665 | WVM13N50 | SL3N06
History: SVS65R380DD4TR | FDMQ8203 | AOB418 | 2SJ665 | WVM13N50 | SL3N06



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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