FK6K02010L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FK6K02010L
   Código: TA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.3 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 155 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0175 Ohm
   Paquete / Cubierta: WSMINI6-F1-B

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FK6K02010L

FK6K02010L Datasheet (PDF)

..1. Size:349K panasonic
fk6k02010l.pdf

Doc No. TT4-EA-12566Revision. 2Product StandardsMOS FETFK6K02010LFK6K02010LSilicon N-channel MOS FETUnit : mm 2.0For switching0.2 0.136 5 4 Features Low drain-source On-state Resistance:RDS(on)typ. = 13 m VGS = 4.5 V) Low drive voltage: 2.5 V drive Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL : Level 1 compliant)1 2 30.7

6.1. Size:454K panasonic
fk6k0201.pdf

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).FK6K0201Silicon N-channel MOS FETFor switch circuits Overview PackageFK6K0201 is N-channel signal type MOS FET employed small size surface Codemounting package. WSMini6-F1-B Pin Name 1: Drain 4: Source Features 2: Drain 5: Drain Low drain-source ON resistance: RDS(on) typ. = 13 mW (VGS =

9.1. Size:2553K panasonic
fk6k0612.pdf

Doc No. TT4-EA-14979Revision. 1Product StandardsMOS FETFK6K06120LFK6K06120LSingle N-channel MOS FET Package dimensionUnit: mmFor lithium-ion secondary battery protection circuitsFor load switching 2.00.2 0.136 5 4 Features Low drain-source ON resistance:RDS(on) typ. = 60 m (VGS = 4.5 V) Low drive voltage: 2.5 V drive RoHS compliant (EU RoHS / UL-94

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Liste

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