FKG1020 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FKG1020
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.052 Ohm
Encapsulados: TO-220F
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FKG1020 datasheet
fkg1020.pdf
100V, 20A Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET EKG1020 / FKG1020 Features Package TO220 TO220F VDS ------------------------------------------------------ 100 V EKG1020 FKG1020 ID ---------------------------------------------------------- 20 A RDS(ON) --------------- 33 m typ.(VGS = 10 V, ID = 10 A) Built-in Gate protect diode 100 % UIL tested Ro
fkg1020.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor FKG1020 FEATURES Drain Current I =20A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =100V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 52m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpose
Otros transistores... FK8V0302 , FK8V0303 , FK8V0304 , FK8V03040L , FK8V03050L , FK8V0306 , FK8V0606 , FK8V06120L , IRF2807 , FKH0660 , FKI06051 , FKI06075 , FKI06108 , FKI06190 , FKI06269 , FKI07076 , FKI07117 .
History: NTD12N10G
History: NTD12N10G
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Liste
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