FL525205 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FL525205
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.6 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm
Encapsulados: MINI5-G3-B
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FL525205 datasheet
fl525205.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). FL525205 Silicon P-channel MOS FET (FET) Silicon epitaxial planar type (SBD) For DC-DC converter circuits For switching circuits Overview Package Code FL525205 is the P-channel single type small signal MOS FET with SBD. Mini5-G3-B Features Package dimension clicks here. Click! Low drain-source ON r
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History: CS3N70HF
🌐 : EN ES РУ
Liste
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