FL525205 Todos los transistores

 

FL525205 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FL525205
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm
   Paquete / Cubierta: MINI5-G3-B
     - Selección de transistores por parámetros

 

FL525205 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:488K  panasonic
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FL525205

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).FL525205Silicon P-channel MOS FET (FET)Silicon epitaxial planar type (SBD)For DC-DC converter circuitsFor switching circuits Overview Package CodeFL525205 is the P-channel single type small signal MOS FET with SBD. Mini5-G3-B Features Package dimension clicks here. Click! Low drain-source ON r

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History: CED01N7 | 2SK214 | APM4463K | BLF6G10-200RN | NDP6050L | ZVP2110ASTZ | HY1804V

 

 
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