SPP80N06S2-08 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SPP80N06S2-08
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 215 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 740 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de SPP80N06S2-08 MOSFET
SPP80N06S2-08 Datasheet (PDF)
spp80n06s2-08 spb80n06s2-08 spi80n06s2-08.pdf

SPI80N06S2-08SPP80N06S2-08,SPB80N06S2-08OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeatureVDS55 V N-ChannelRDS(on) 8 m Enhancement modeID 80 A 175C operating temperatureP- TO262 -3-1 P- TO263 -3-2 P- TO220 -3-1 Avalanche rated dv/dt ratedType Package Ordering Code MarkingSPP80N06S2-08 P- TO220 -3-1 Q67060-S42832N0608SPB80N06S2-08 P- TO263 -
spp80n06s2-05 spb80n06s2-05.pdf

www.DataSheet4U.com SPP80N06S2-05SPB80N06S2-05OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeatureVDS 55 V N-ChannelRDS(on) max. SMD version 4.8 m Enhancement modeID 80 A 175C operating temperatureP- TO263 -3-2 P- TO220 -3-1 Avalanche rated dv/dt ratedType Package Ordering Code MarkingSPP80N06S2-05 P- TO220 -3-1 Q67040-S42452N0605SPB80N06S2-05
spb80n06s2-09 spp80n06s2-09.pdf

SPP80N06S2-09Preliminary dataSPB80N06S2-09OptiMOS =Power-Transistor===Product SummaryFeatureVDS55 V N-ChannelRDS(on) 9.1 m Enhancement modeID 80 A 175C operating temperatureP-TO263-3-2 P-TO220-3-1 Avalanche rated dv/dt ratedType Package Ordering Code MarkingSPP80N06S2-09 P-TO220-3-1 Q67060-S60252N0609SPB80N06S2-09 P-TO263-3-2 Q67060-S6027 2N0609Maxi
spp80n06s2l-09 spb80n06s2l-09.pdf

SPP80N06S2L-09SPB80N06S2L-09OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeatureVDS55 V N-ChannelRDS(on) 8.5 m Enhancement modeID 80 A Logic LevelP- TO263 -3-2 P- TO220 -3-1 175C operating temperature Avalanche rated dv/dt ratedType Package Ordering Code MarkingSPP80N06S2L-09 P- TO220 -3-1 Q67060-S60312N06L09SPB80N06S2L-09 P- TO263 -3-2
Otros transistores... FM600TU-3A , FM6K6201 , FM6L5202 , FM6L52020L , SWP3205 , SWP10N65 , SWF10N65 , ST16N10 , IRFP460 , SPB80N06S2-08 , SPI80N06S2-08 , SLP10N70C , SLF10N70C , PTW40N50 , PJM90H09NTF , HY1606P , HY1606B .
History: HY3610P | SDF920NE | MN7R6-60PS | JS65R170SM | NP100N04MUH | RD01MUS1
History: HY3610P | SDF920NE | MN7R6-60PS | JS65R170SM | NP100N04MUH | RD01MUS1



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
nsd134 | 60r190p datasheet | cs30n20 datasheet | go42n10 | 2sa970 datasheet | 2sc1627 | aoe6936 datasheet | g40t60an3h datasheet