HS50N06PA Todos los transistores

 

HS50N06PA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HS50N06PA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 105 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 440 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm

Encapsulados: TO-220M

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HS50N06PA datasheet

 ..1. Size:1122K  thinkisemi
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HS50N06PA

 7.1. Size:988K  cn vbsemi
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HS50N06PA

HS50N06DA www.VBsemi.tw N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY 175 C Junction Temperature VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a TrenchFET Power MOSFET 0.012 at VGS = 10 V 50 Material categorization 60 0.013 at VGS = 4.5 V 45 D TO-252 G S G D S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit

 9.1. Size:547K  semihow
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HS50N06PA

Aug 2023 HIHS50N65H-SA (TO-247 Isolation) 650V N-Channel Trench Field Stop IGBT Features Key Parameters Very Low VCE(sat) Parameter Value Unit Extremely low switching loss VCES 650 V Excellent stability and uniformity IC 50 A Soft Fast Reverse Recovery Diode VCE(sat) 1.45 V Maximum Junction temperature, TJ(max)=175 2,500VRMS electrical isolation Etot 1.

Otros transistores... SPB80N06S2-08 , SPI80N06S2-08 , SLP10N70C , SLF10N70C , PTW40N50 , PJM90H09NTF , HY1606P , HY1606B , 10N60 , FS14UM-10 , DMG4712SSS , BRCS4435SC , B0210D , 2SK4119LS , 2SK4098LS , 3N128 , 3N143 .

History: SLF10N70C | PJM90H09NTF | AO6415 | AGM20P30AP

 

 

 

 

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