HS50N06PA - описание и поиск аналогов

 

HS50N06PA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HS50N06PA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 105 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 440 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: TO-220M

Аналог (замена) для HS50N06PA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HS50N06PA даташит

 ..1. Size:1122K  thinkisemi
 hs50n06pa.pdf pdf_icon

HS50N06PA

 7.1. Size:988K  cn vbsemi
 hs50n06da.pdf pdf_icon

HS50N06PA

HS50N06DA www.VBsemi.tw N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY 175 C Junction Temperature VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a TrenchFET Power MOSFET 0.012 at VGS = 10 V 50 Material categorization 60 0.013 at VGS = 4.5 V 45 D TO-252 G S G D S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit

 9.1. Size:547K  semihow
 hihs50n65h-sa.pdf pdf_icon

HS50N06PA

Aug 2023 HIHS50N65H-SA (TO-247 Isolation) 650V N-Channel Trench Field Stop IGBT Features Key Parameters Very Low VCE(sat) Parameter Value Unit Extremely low switching loss VCES 650 V Excellent stability and uniformity IC 50 A Soft Fast Reverse Recovery Diode VCE(sat) 1.45 V Maximum Junction temperature, TJ(max)=175 2,500VRMS electrical isolation Etot 1.

Другие MOSFET... SPB80N06S2-08 , SPI80N06S2-08 , SLP10N70C , SLF10N70C , PTW40N50 , PJM90H09NTF , HY1606P , HY1606B , 10N60 , FS14UM-10 , DMG4712SSS , BRCS4435SC , B0210D , 2SK4119LS , 2SK4098LS , 3N128 , 3N143 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.