3N128 Todos los transistores

 

3N128 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3N128

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.4 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 20 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 15 V

Corriente continua de drenaje (Id): 0.05 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1.4 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 200 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO72

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: R6020KNZ4 | RJ1G12BGN | RJ1G08CGN | R8008ANJ | R8005ANJ | R8002ANJ | R6535KNZ1 | R6535KNZ | R6535ENZ1 | R6535ENZ | R6530KNZ1 | R6530KNZ | R6530KNX1 | R6530KNX | R6530ENZ1 | R6530ENZ

 

 

 
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