3N128 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3N128
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.4 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.05 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1.4 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 200 Ohm
Paquete / Cubierta: TO72
Búsqueda de reemplazo de 3N128 MOSFET
3N128 Datasheet (PDF)
Otros transistores... HY1606B , HS50N06PA , FS14UM-10 , DMG4712SSS , BRCS4435SC , B0210D , 2SK4119LS , 2SK4098LS , AON7408 , 3N143 , APM2509NU , CHM04N10ZPT , DTP4503 , IRF60R217 , PFP12N65 , PFF12N65 , PK6D0BA .
History: JMSH1001AE7
History: JMSH1001AE7



Liste
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