NTA4001NT1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTA4001NT1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.238 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
Encapsulados: SOT-416
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NTA4001NT1 datasheet
nta4001nt1 nva4001n.pdf
NTA4001N, NVA4001N Small Signal MOSFET 20 V, 238 mA, Single, N-Channel, Gate ESD Protection, SC-75 Features http //onsemi.com Low Gate Charge for Fast Switching V(BR)DSS RDS(on) ID MAX Small 1.6 x 1.6 mm Footprint Typ @ VGS (Note 1) ESD Protected Gate 1.5 W @ 4.5 V 20 V 238 mA AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVA4001N 2.2 W @ 2.5 V These Devices are Pb-Fre
lnta4001nt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Small Signal MOSFET LNTA4001NT1G 20 V, 238 mA, Single, N-Channel, Gate ESD Protection 3 Features Low Gate Charge for Fast Switching 1 Small 1.6 x 1.6 mm Footprint 2 ESD Protected Gate SC-89 Pb-Free Package is Available Applications Power Management Load Switch Level Shift V(BR)DSS RDS(on) ID MAX Typ @ VGS (Note 1) Portabl
lnta4001nt1g s-lnta4001nt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. LNTA4001NT1G Small Signal MOSFET S-LNTA4001NT1G 20 V, 238 mA, Single, N-Channel, Gate ESD Protection Features Low Gate Charge for Fast Switching Small 1.6 x 1.6 mm Footprint ESD Protected Gate Pb-Free Package is Available SC-89 ESD Protected 2000V ESD Protected 1500V S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring ESD
nta4001n nva4001n.pdf
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History: CHM12N10PAGP
🌐 : EN ES РУ
Liste
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