NTA4153NT1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTA4153NT1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 6 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.915 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 16 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.23 Ohm

Encapsulados: SOT-416

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NTA4153NT1 datasheet

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NTA4153NT1

NTA4153N, NTE4153N Small Signal MOSFET 20 V, 915 mA, Single N-Channel with ESD Protection, SC-75 and SC-89 Features http //onsemi.com Low RDS(on) Improving System Efficiency Low Threshold Voltage, 1.5 V Rated V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX ESD Protected Gate 0.127 W @ 4.5 V Pb-Free Packages are Available 0.170 W @ 2.5 V 20 V 915 mA Applications 0.242 W @ 1.8 V

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NTA4153NT1

marking A

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NTA4153NT1

NTA4153N, NTE4153N, NVA4153N, NVE4153N Small Signal MOSFET 20 V, 915 mA, Single N-Channel with ESD Protection, SC-75 and SC-89 http //onsemi.com Features Low RDS(on) Improving System Efficiency V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Low Threshold Voltage, 1.5 V Rated 0.127 W @ 4.5 V ESD Protected Gate 0.170 W @ 2.5 V 20 V 915 mA NV Prefix for Automotive and Other Application

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NTA4153NT1

SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET NTA4153N SOT-523 U nit m m +0. 1 1.6 -0. 1 +0.1 1.0 -0.1 +0.05 0.2 -0.05 0.15 0.05 Features 2 1 VDS (V) = 20V ID = 915mA RDS(ON) 230m (VGS = 4.5V) 3 RDS(ON) 275m (VGS = 2.5V) 0.3 0.05 0.5+0.1 RDS(ON) 700m (VGS = 1.8V) -0.1 RDS(ON) 950m (VGS = 1.5V) 1 Gate 2 Source 3 Drain 3 1

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