NTA4153NT1 Todos los transistores

 

NTA4153NT1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTA4153NT1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 6 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.915 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 16 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.23 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-416

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTA4153NT1

 

NTA4153NT1 Datasheet (PDF)

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NTA4153NT1
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NTA4153N, NTE4153NSmall Signal MOSFET20 V, 915 mA, Single N-Channel with ESD Protection, SC-75 and SC-89Featureshttp://onsemi.com Low RDS(on) Improving System Efficiency Low Threshold Voltage, 1.5 V RatedV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX ESD Protected Gate0.127 W @ 4.5 V Pb-Free Packages are Available0.170 W @ 2.5 V20 V 915 mAApplications0.242 W @ 1.8 V

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marking: A

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NTA4153N, NTE4153N,NVA4153N, NVE4153NSmall Signal MOSFET20 V, 915 mA, Single N-Channel with ESD Protection, SC-75 and SC-89http://onsemi.comFeatures Low RDS(on) Improving System EfficiencyV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Low Threshold Voltage, 1.5 V Rated0.127 W @ 4.5 V ESD Protected Gate0.170 W @ 2.5 V20 V 915 mA NV Prefix for Automotive and Other Application

 6.2. Size:1482K  kexin
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SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETNTA4153NSOT-523 U nit: m m+0.11.6 -0.1+0.11.0 -0.1+0.050.2 -0.05 0.150.05 Features2 1 VDS (V) = 20V ID = 915mA RDS(ON) 230m (VGS = 4.5V)3 RDS(ON) 275m (VGS = 2.5V)0.30.050.5+0.1 RDS(ON) 700m (VGS = 1.8V) -0.1 RDS(ON) 950m (VGS = 1.5V)1 Gate2 Source3 Drain31

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

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