Справочник MOSFET. NTA4153NT1

 

NTA4153NT1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NTA4153NT1
   Маркировка: TR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 6 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.915 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 1.82 nC
   trⓘ - Время нарастания: 4.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 16 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm
   Тип корпуса: SOT-416

 Аналог (замена) для NTA4153NT1

 

 

NTA4153NT1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:68K  onsemi
nta4153nt1 nta4153n nte4153n.pdf

NTA4153NT1
NTA4153NT1

NTA4153N, NTE4153NSmall Signal MOSFET20 V, 915 mA, Single N-Channel with ESD Protection, SC-75 and SC-89Featureshttp://onsemi.com Low RDS(on) Improving System Efficiency Low Threshold Voltage, 1.5 V RatedV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX ESD Protected Gate0.127 W @ 4.5 V Pb-Free Packages are Available0.170 W @ 2.5 V20 V 915 mAApplications0.242 W @ 1.8 V

 0.1. Size:1557K  cn tech public
tpnta4153nt1g.pdf

NTA4153NT1
NTA4153NT1

marking: A

 6.1. Size:72K  onsemi
nta4153n nte4153n nva4153n nve4153n.pdf

NTA4153NT1
NTA4153NT1

NTA4153N, NTE4153N,NVA4153N, NVE4153NSmall Signal MOSFET20 V, 915 mA, Single N-Channel with ESD Protection, SC-75 and SC-89http://onsemi.comFeatures Low RDS(on) Improving System EfficiencyV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Low Threshold Voltage, 1.5 V Rated0.127 W @ 4.5 V ESD Protected Gate0.170 W @ 2.5 V20 V 915 mA NV Prefix for Automotive and Other Application

 6.2. Size:1482K  kexin
nta4153n.pdf

NTA4153NT1
NTA4153NT1

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETNTA4153NSOT-523 U nit: m m+0.11.6 -0.1+0.11.0 -0.1+0.050.2 -0.05 0.150.05 Features2 1 VDS (V) = 20V ID = 915mA RDS(ON) 230m (VGS = 4.5V)3 RDS(ON) 275m (VGS = 2.5V)0.30.050.5+0.1 RDS(ON) 700m (VGS = 1.8V) -0.1 RDS(ON) 950m (VGS = 1.5V)1 Gate2 Source3 Drain31

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top