NTB25P06G MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

NTB25P06G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTB25P06G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 15 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 72 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 345 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm

Encapsulados: D2PAK

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NTB25P06G datasheet

..1. Size:125K onsemi
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NTB25P06 Power MOSFET -60 V, -27.5 A, P-Channel D2PAK Designed for low voltage, high speed switching applications and to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. Features http //onsemi.com Pb-Free Packages are Available V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Typical Applications PWM Motor Controls -60 V 65 mW @ -10 V -27.5 A Power Supplies Converters P-Ch

6.2. Size:129K onsemi
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