NTB25P06G Todos los transistores

 

NTB25P06G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTB25P06G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 72 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 345 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK
 

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NTB25P06G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:125K  onsemi
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NTB25P06G

NTB25P06, NVB25P06Power MOSFET-60 V, -27.5 A, P-Channel D2PAKDesigned for low voltage, high speed switching applications and towithstand high energy in the avalanche and commutation modes.Featureshttp://onsemi.com AEC Q101 Qualified - NVB25P06 These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAXTypical Applications-60 V 65 mW @ -10 V -27.5 A

 6.1. Size:67K  onsemi
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NTB25P06G

NTB25P06Power MOSFET-60 V, -27.5 A, P-Channel D2PAKDesigned for low voltage, high speed switching applications and towithstand high energy in the avalanche and commutation modes.Featureshttp://onsemi.com Pb-Free Packages are AvailableV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAXTypical Applications PWM Motor Controls-60 V 65 mW @ -10 V -27.5 A Power Supplies ConvertersP-Ch

 6.2. Size:129K  onsemi
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NTB25P06G

NTB25P06, NVB25P06Power MOSFET-60 V, -27.5 A, P-Channel D2PAKDesigned for low voltage, high speed switching applications and towithstand high energy in the avalanche and commutation modes.Featureshttp://onsemi.com AEC Q101 Qualified - NVB25P06 These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAXTypical Applications-60 V 65 mW @ -10 V -27.5 A

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NTB25P06G

NTB25P06T4Gwww.VBsemi.twP-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.)Definition TrenchFET Power MOSFET0.048at VGS = - 10 V- 35- 60 60 100 % Rg and UIS Tested0.060at VGS = - 4.5 V - 30 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSS Power Switch Lo

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History: PJA3460 | FSW25N50A | WML36N60C4

 

 
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