NTB25P06G - описание и поиск аналогов

 

NTB25P06G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTB25P06G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 15 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 72 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 345 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для NTB25P06G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTB25P06G даташит

 ..1. Size:125K  onsemi
 ntb25p06g nvb25p06.pdf pdf_icon

NTB25P06G

 6.1. Size:67K  onsemi
 ntb25p06-d.pdf pdf_icon

NTB25P06G

NTB25P06 Power MOSFET -60 V, -27.5 A, P-Channel D2PAK Designed for low voltage, high speed switching applications and to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. Features http //onsemi.com Pb-Free Packages are Available V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Typical Applications PWM Motor Controls -60 V 65 mW @ -10 V -27.5 A Power Supplies Converters P-Ch

 6.2. Size:129K  onsemi
 ntb25p06 nvb25p06.pdf pdf_icon

NTB25P06G

 6.3. Size:1447K  cn vbsemi
 ntb25p06t4g.pdf pdf_icon

NTB25P06G

NTB25P06T4G www.VBsemi.tw P-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET 0.048at VGS = - 10 V - 35 - 60 60 100 % Rg and UIS Tested 0.060at VGS = - 4.5 V - 30 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS S Power Switch Lo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NTA7002NT1, NTB125N02R, NTB13N10, NTB18N06, NTB18N06G, NTB18N06L, NTB23N03R, NTB23N03RG, IRF1407, NTB27N06LT4, NTB30N06G, NTB30N06L, NTB30N20, NTB35N15G, NTB4302, NTB45N06G, NTB45N06LG

 

 

 

 

↑ Back to Top
.