SDF10N90GAF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SDF10N90GAF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 110(max) nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 550 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.1 Ohm
Paquete / Cubierta: TO254
- Selección de transistores por parámetros
SDF10N90GAF Datasheet (PDF)
sdf10n60 sdp10n60 sdp10n60.pdf
SDP10N60SDF10N60aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) () TypVDSS IDRugged and reliable.600V 10A 0.62 @ VGS=10V TO-220 and TO-220F Package.DG D S G D S GSDP SERIES SDF SERIESTO-220 TO-220FSORDERING INFORMATIONOrdering Code Package M
Otros transistores... SDF100NA40HI , SDF100NA40JD , SDF10N100JEA , SDF10N100JEB , SDF10N100JEC , SDF10N100JED , SDF10N100SXH , SDF10N60 , IRFB4110 , SDF11N100GAF , SDF11N90GAF , SDF120JAA-D , SDF120JAA-S , SDF120JAA-U , SDF120JAB-D , SDF120JAB-S , SDF120JAB-U .
History: NTMFS4925NT1G | VS3620DP-G | 2SJ152
History: NTMFS4925NT1G | VS3620DP-G | 2SJ152
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
Popular searches
2sc1312 datasheet | 2sb647 | k3561 transistor | c3203 transistor | irfp450 equivalent | 2sb649 | 2sb324 transistor | b754 transistor