Справочник MOSFET. SDF10N90GAF

 

SDF10N90GAF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SDF10N90GAF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Время нарастания (tr): 110(max) ns
   Выходная емкость (Cd): 550 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.1 Ohm
   Тип корпуса: TO254

 Аналог (замена) для SDF10N90GAF

 

 

SDF10N90GAF Datasheet (PDF)

 6.1. Size:159K  solitron
 sdf10n90.pdf

SDF10N90GAF

 8.1. Size:453K  samhop
 sdf10n60 sdp10n60 sdp10n60.pdf

SDF10N90GAF SDF10N90GAF

SDP10N60SDF10N60aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) () TypVDSS IDRugged and reliable.600V 10A 0.62 @ VGS=10V TO-220 and TO-220F Package.DG D S G D S GSDP SERIES SDF SERIESTO-220 TO-220FSORDERING INFORMATIONOrdering Code Package M

 8.2. Size:165K  solitron
 sdf10n100.pdf

SDF10N90GAF

 8.3. Size:165K  solitron
 sdf10n60.pdf

SDF10N90GAF

Другие MOSFET... SDF100NA40HI , SDF100NA40JD , SDF10N100JEA , SDF10N100JEB , SDF10N100JEC , SDF10N100JED , SDF10N100SXH , SDF10N60 , IRF640N , SDF11N100GAF , SDF11N90GAF , SDF120JAA-D , SDF120JAA-S , SDF120JAA-U , SDF120JAB-D , SDF120JAB-S , SDF120JAB-U .

 

 
Back to Top