NTB5605PG MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

NTB5605PG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTB5605PG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 88 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 122 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 211 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm

Encapsulados: D2PAK

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NTB5605PG datasheet

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NTB5605P, NTBV5605 Power MOSFET -60 V, -18.5 A P-Channel, D2PAK http //onsemi.com Features Designed for Low RDS(on) V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Withstands High Energy in Avalanche and Commutation Modes AEC Q101 Qualified - NTBV5605 -60 V 120 mW @ -5.0 V -18.5 A These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant P-Channel Applications D Power Supplies PWM Mo

6.1. Size:138K onsemi
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NTB5605P, NTB5605 Power MOSFET -60 Volt, -18.5 Amp P-Channel, D2PAK http //onsemi.com Features Designed for Low RDS(on) V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Withstands High Energy in Avalanche and Commutation Modes Pb-Free Packages are Available -60 V 120 mW @ -5.0 V -18.5 A Applications P-Channel Power Supplies D PWM Motor Control Converters Power Management

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