NTB5605PG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NTB5605PG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 88 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 18.5 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2 V
   Carga de la puerta (Qg): 13 nC
   Tiempo de subida (tr): 122 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 211 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.14 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTB5605PG

NTB5605PG Datasheet (PDF)

..1. Size:135K onsemi
ntb5605pg.pdf

NTB5605P, NTBV5605Power MOSFET-60 V, -18.5 AP-Channel, D2PAKhttp://onsemi.comFeatures Designed for Low RDS(on)V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Withstands High Energy in Avalanche and Commutation Modes AEC Q101 Qualified - NTBV5605-60 V 120 mW @ -5.0 V -18.5 A These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantP-ChannelApplicationsD Power Supplies PWM Mo

6.1. Size:138K onsemi
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ntb5605-p.pdf

NTB5605P, NTB5605Power MOSFET-60 Volt, -18.5 AmpP-Channel, D2PAKhttp://onsemi.comFeatures Designed for Low RDS(on)V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Withstands High Energy in Avalanche and Commutation Modes Pb-Free Packages are Available -60 V 120 mW @ -5.0 V -18.5 AApplicationsP-Channel Power SuppliesD PWM Motor Control Converters Power Management

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Liste

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