NTB5605PG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: NTB5605PG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 13 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 122 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 211 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
Тип корпуса: D2PAK
Аналог (замена) для NTB5605PG
NTB5605PG Datasheet (PDF)
ntb5605pg.pdf

NTB5605P, NTBV5605Power MOSFET-60 V, -18.5 AP-Channel, D2PAKhttp://onsemi.comFeatures Designed for Low RDS(on)V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Withstands High Energy in Avalanche and Commutation Modes AEC Q101 Qualified - NTBV5605-60 V 120 mW @ -5.0 V -18.5 A These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantP-ChannelApplicationsD Power Supplies PWM Mo
ntb5605p ntbv5605.pdf

NTB5605P, NTBV5605Power MOSFET-60 V, -18.5 AP-Channel, D2PAKhttp://onsemi.comFeatures Designed for Low RDS(on)V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Withstands High Energy in Avalanche and Commutation Modes AEC Q101 Qualified - NTBV5605-60 V 120 mW @ -5.0 V -18.5 A These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantP-ChannelApplicationsD Power Supplies PWM Mo
ntb5605-p.pdf

NTB5605P, NTB5605Power MOSFET-60 Volt, -18.5 AmpP-Channel, D2PAKhttp://onsemi.comFeatures Designed for Low RDS(on)V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Withstands High Energy in Avalanche and Commutation Modes Pb-Free Packages are Available -60 V 120 mW @ -5.0 V -18.5 AApplicationsP-Channel Power SuppliesD PWM Motor Control Converters Power Management
Другие MOSFET... NTB45N06G , NTB45N06LG , NTB52N10G , NTB5404NT4G , NTB5405NG , NTB5411NT4G , NTB5412NT4G , NTB5426NT4G , AO3401 , NTB5860N , NTB5860NL , NTB60N06G , NTB60N06L , NTB6410ANG , NTB6411ANG , NTB6412ANG , NTB6413ANG .
History: NVTFS6H850N | RFD8P05 | IRF5802PBF | SIHW30N60E | STB12NM50 | FQP7N80 | STP13N80K5
History: NVTFS6H850N | RFD8P05 | IRF5802PBF | SIHW30N60E | STB12NM50 | FQP7N80 | STP13N80K5



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
tip42c | 2sc2240 | bc547 transistor equivalent | 2sa1943 | tip41c datasheet | mje15032 | tip32c datasheet | mje15032g