NTB60N06G Todos los transistores

 

NTB60N06G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTB60N06G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 180.7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 660 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK
 

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NTB60N06G datasheet

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NTB60N06G

NTP60N06, NTB60N06 Power MOSFET 60 V, 60 A, N-Channel TO-220 and D2PAK Designed for low voltage, high speed switching applications in http //onsemi.com power supplies, converters and power motor controls and bridge circuits. 60 VOLTS, 60 AMPERES Features RDS(on) = 14 mW Pb-Free Packages are Available N-Channel D Typical Applications Power Supplies Converters Pow

 ..2. Size:1579K  cn vbsemi
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NTB60N06G

NTB60N06G www.VBsemi.tw N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY 175 C Junction Temperature VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a TrenchFET Power MOSFET 0.012 at VGS = 10 V 60 60 0.013 at VGS = 4.5 V 50 D D2PAK (TO-263) G G D S S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit VGS Gate-Sourc

 6.1. Size:88K  onsemi
 ntb60n06l ntp60n06l ntp60n06l ntb60n06l.pdf pdf_icon

NTB60N06G

NTP60N06L, NTB60N06L Power MOSFET 60 Amps, 60 Volts, Logic Level N-Channel TO-220 and D2PAK http //onsemi.com Designed for low voltage, high speed switching applications in 60 AMPERES, 60 VOLTS power supplies, converters, power motor controls and bridge circuits. RDS(on) = 16 mW Features N-Channel Pb-Free Packages are Available D Typical Applications Power Supplies C

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