NTD110N02RG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTD110N02RG
Código: T110N2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 24 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 VQgⓘ - Carga de la puerta: 23.6 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 39 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1105 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0046 Ohm
Paquete / Cubierta: DPAK
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NTD110N02RG Datasheet (PDF)
ntd110n02rg std110n02rt4g.pdf
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ntd110n02r.pdf
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