NTD12N10T4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTD12N10T4
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56.6 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.165 Ohm
Paquete / Cubierta: DPAK
Búsqueda de reemplazo de NTD12N10T4 MOSFET
NTD12N10T4 Datasheet (PDF)
ntd12n10g ntd12n10t4.pdf
NTD12N10Power MOSFET12 Amps, 100 VoltsN-Channel Enhancement-Mode DPAKhttp://onsemi.comFeatures Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a DiscreteV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAXFast Recovery Diode100 V 165 mW @ 10 V 12 A Avalanche Energy Specified IDSS and RDS(on) Specified at Elevated TemperatureN-Channel Mounting Information Provided for the DPAK Pac
ntd12n10.pdf
NTD12N10Power MOSFET12 Amps, 100 VoltsN-Channel Enhancement-Mode DPAKhttp://onsemi.comFeatures Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a DiscreteV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAXFast Recovery Diode100 V 165 mW @ 10 V 12 A Avalanche Energy Specified IDSS and RDS(on) Specified at Elevated TemperatureN-Channel Mounting Information Provided for the DPAK Pac
ntd12n10-1g.pdf
NTD12N10-1Gwww.VBsemi.twN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY DT-Trench Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction Temperature0.115 at VGS = 10 V15 100 % Rg Tested1000.120 at VGS = 6 V 15APPLICATIONS Primary Side SwitchTO-251DGSG D SN-Channel MOSFETTop ViewABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwi
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History: SQD40N06-14L | DH045N04P | SFF840
History: SQD40N06-14L | DH045N04P | SFF840
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