NTD14N03R-1G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTD14N03R-1G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20.8 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 62 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.095 Ohm
Encapsulados: DPAK
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NTD14N03R-1G datasheet
ntd14n03r-1g ntd14n03rg.pdf
NTD14N03R, NVD14N03R Power MOSFET 14 Amps, 25 Volts N-Channel DPAK http //onsemi.com Features Planar HD3e Process for Fast Switching Performance 14 AMPERES, 25 VOLTS Low RDS(on) to Minimize Conduction Loss Low Ciss to Minimize Driver Loss RDS(on) = 70.4 mW (Typ) Low Gate Charge Optimized for High Side Switching Requirements in N-CHANNEL High-Efficiency DC-DC Co
ntd14n03r.pdf
NTD14N03R Power MOSFET 14 Amps, 25 Volts N-Channel DPAK http //onsemi.com Features Planar HD3e Process for Fast Switching Performance 14 AMPERES, 25 VOLTS Low RDS(on) to Minimize Conduction Loss RDS(on) = 70.4 mW (Typ) Low Ciss to Minimize Driver Loss Low Gate Charge Optimized for High Side Switching Requirements in N-CHANNEL High-Efficiency DC-DC Converters D
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History: IPB100N04S3-03
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