NTD14N03R-1G - описание и поиск аналогов

 

NTD14N03R-1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTD14N03R-1G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для NTD14N03R-1G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTD14N03R-1G даташит

 ..1. Size:109K  onsemi
 ntd14n03r-1g ntd14n03rg.pdf pdf_icon

NTD14N03R-1G

NTD14N03R, NVD14N03R Power MOSFET 14 Amps, 25 Volts N-Channel DPAK http //onsemi.com Features Planar HD3e Process for Fast Switching Performance 14 AMPERES, 25 VOLTS Low RDS(on) to Minimize Conduction Loss Low Ciss to Minimize Driver Loss RDS(on) = 70.4 mW (Typ) Low Gate Charge Optimized for High Side Switching Requirements in N-CHANNEL High-Efficiency DC-DC Co

 5.1. Size:80K  onsemi
 ntd14n03r.pdf pdf_icon

NTD14N03R-1G

NTD14N03R Power MOSFET 14 Amps, 25 Volts N-Channel DPAK http //onsemi.com Features Planar HD3e Process for Fast Switching Performance 14 AMPERES, 25 VOLTS Low RDS(on) to Minimize Conduction Loss RDS(on) = 70.4 mW (Typ) Low Ciss to Minimize Driver Loss Low Gate Charge Optimized for High Side Switching Requirements in N-CHANNEL High-Efficiency DC-DC Converters D

Другие MOSFET... NTB75N06L , NTB85N03 , NTB90N02 , NTBV45N06 , NTBV45N06L , NTD110N02RG , NTD12N10G , NTD12N10T4 , IRF730 , NTD14N03RG , NTD15N06-001 , NTD15N06L-001 , NTD18N06 , NTD18N06G , NTD18N06LG , NTD18N06T4G , NTD20N03L27G .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.