NTD18N06LG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NTD18N06LG
   Código: 18N6L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 55 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 15 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 18 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2 V
   Carga de la puerta (Qg): 11 nC
   Tiempo de subida (tr): 79 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 166 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.065 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTD18N06LG

NTD18N06LG Datasheet (PDF)

..1. Size:156K onsemi
ntd18n06lg ntdv18n06lt4g.pdf

NTD18N06L, NTDV18N06LPower MOSFET18 A, 60 V, Logic Level N-Channel DPAKDesigned for low voltage, high speed switching applications inpower supplies, converters and power motor controls and bridgecircuits.http://onsemi.comFeaturesV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX AEC Q101 Qualified - NTDV18N06L18 A These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant60 V 54 mW@5.0 V(Note 1)

5.1. Size:86K onsemi
ntd18n06l ntdv18n06l.pdf

NTD18N06L, NTDV18N06LPower MOSFET18 A, 60 V, Logic Level N-Channel DPAKDesigned for low voltage, high speed switching applications inpower supplies, converters and power motor controls and bridgecircuits.www.onsemi.comFeaturesV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX AEC Q101 Qualified - NTDV18N06L18 A These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant60 V 54 mW@5.0 V(Note 1)T

5.2. Size:121K onsemi
ntd18n06l.pdf

NTD18N06LPower MOSFET18 A, 60 V, Logic Level N-Channel DPAKDesigned for low voltage, high speed switching applications inpower supplies, converters and power motor controls and bridgecircuits.http://onsemi.comFeaturesV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX These are Pb-Free Devices18 A60 V 54 mW@5.0 VTypical Applications (Note 1) Power SuppliesN-Channel Converters

5.3. Size:271K inchange semiconductor
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isc N-Channel MOSFET Transistor NTD18N06LFEATURESDrain Current : I = 18A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 60V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 65m(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand soleno

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Liste

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