Справочник MOSFET. NTD18N06LG

 

NTD18N06LG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTD18N06LG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 79 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 166 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для NTD18N06LG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTD18N06LG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:156K  onsemi
ntd18n06lg ntdv18n06lt4g.pdfpdf_icon

NTD18N06LG

NTD18N06L, NTDV18N06LPower MOSFET18 A, 60 V, Logic Level N-Channel DPAKDesigned for low voltage, high speed switching applications inpower supplies, converters and power motor controls and bridgecircuits.http://onsemi.comFeaturesV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX AEC Q101 Qualified - NTDV18N06L18 A These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant60 V 54 mW@5.0 V(Note 1)

 5.1. Size:86K  onsemi
ntd18n06l ntdv18n06l.pdfpdf_icon

NTD18N06LG

NTD18N06L, NTDV18N06LPower MOSFET18 A, 60 V, Logic Level N-Channel DPAKDesigned for low voltage, high speed switching applications inpower supplies, converters and power motor controls and bridgecircuits.www.onsemi.comFeaturesV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX AEC Q101 Qualified - NTDV18N06L18 A These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant60 V 54 mW@5.0 V(Note 1)T

 5.2. Size:121K  onsemi
ntd18n06l.pdfpdf_icon

NTD18N06LG

NTD18N06LPower MOSFET18 A, 60 V, Logic Level N-Channel DPAKDesigned for low voltage, high speed switching applications inpower supplies, converters and power motor controls and bridgecircuits.http://onsemi.comFeaturesV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX These are Pb-Free Devices18 A60 V 54 mW@5.0 VTypical Applications (Note 1) Power SuppliesN-Channel Converters

 5.3. Size:271K  inchange semiconductor
ntd18n06l.pdfpdf_icon

NTD18N06LG

isc N-Channel MOSFET Transistor NTD18N06LFEATURESDrain Current : I = 18A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 60V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 65m(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand soleno

Другие MOSFET... NTD12N10G , NTD12N10T4 , NTD14N03R-1G , NTD14N03RG , NTD15N06-001 , NTD15N06L-001 , NTD18N06 , NTD18N06G , IRF540 , NTD18N06T4G , NTD20N03L27G , NTD20N06-001 , NTD20N06-1G , NTD20N06G , NTD20N06LG , NTD20P06L-001 , NTD20P06L-1G .

History: NDT02N40 | SL10N06A

 

 
Back to Top

 


 
.