NTD23N03R Todos los transistores

 

NTD23N03R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTD23N03R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 22.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14.9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 108 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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NTD23N03R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:127K  onsemi
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NTD23N03R

NTD23N03RPower MOSFET23 A, 25 V, N-Channel DPAKFeatures Planar HD3e Process for Fast Switching Performance http://onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Loss Low Ciss to Minimize Driver Loss V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Low Gate Charge25 V 32 mW 23 A Optimized for High Side Switching Requirements inHigh-Efficiency DC-DC ConvertersN-CHANNEL Pb-Free

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History: NTMFS4835NT1G | AP62T03GH | HMS4296B | NTD20P06L-1G | NVMFS5C456N | HMS4444A | BUK9E3R7-60E

 

 
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