NTD3055L104T4G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NTD3055L104T4G
   Código: 55L104
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 48 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 15 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 12 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2 V
   Carga de la puerta (Qg): 7.4 nC
   Tiempo de subida (tr): 104 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 105 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.104 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTD3055L104T4G

NTD3055L104T4G Datasheet (PDF)

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NTD3055L104,NTDV3055L104Power MOSFET12 Amps, 60 Volts, Logic LevelN-Channel DPAKDesigned for low voltage, high speed switching applications inhttp://onsemi.compower supplies, converters and power motor controls and bridgecircuits.FeaturesV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Lower RDS(on)60 V 104 mW 12 A Lower VDS(on) Tighter VSD SpecificationN-Channel Lower Di

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NTD3055L104,NTDV3055L104Power MOSFET12 A, 60 V, Logic Level N-ChannelDPAK/IPAKDesigned for low voltage, high speed switching applications in powersupplies, converters and power motor controls and bridge circuits.www.onsemi.comFeatures Lower RDS(on)V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Lower VDS(on)60 V 104 mW 12 A Tighter VSD Specification Lower Diode Reverse Recov

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NTD3055L104Power MOSFET12 Amps, 60 Volts, Logic LevelN-Channel DPAKDesigned for low voltage, high speed switching applications inpower supplies, converters and power motor controls and bridgecircuits. http://onsemi.comFeaturesV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Lower RDS(on) Lower VDS(on) 60 V 104 mW 12 A Tighter VSD Specification Lower Diode Reverse Recovery TimeN

3.3. Size:821K cn vbsemi
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NTD3055L104www.VBsemi.twN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.)Definition0.032 at VGS = 10 V35d TrenchFET Power MOSFET60 21.70.037 at VGS = 4.5 V30d 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Power SupplyDTO-251- Secon

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Liste

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