NTD32N06 Todos los transistores

 

NTD32N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTD32N06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 93.75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 84 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 346 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

NTD32N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:66K  onsemi
 ntd32n06-001 ntd32n06 ntd32n06-d.pdf pdf_icon

NTD32N06

NTD32N06Power MOSFET32 Amps, 60 Volts, N-Channel DPAKDesigned for low voltage, high speed switching applications inpower supplies, converters and power motor controls and bridgecircuits.http://onsemi.comFeatures Pb-Free Packages are AvailableV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Smaller Package than MTB36N06V60 V 26 mW 32 A Lower RDS(on) Lower VDS(on)N-Channel

 0.1. Size:98K  onsemi
 ntd32n06l ntd32n06l ntd32n06lg.pdf pdf_icon

NTD32N06

NTD32N06LPower MOSFET32 Amps, 60 VoltsLogic Level, N-Channel DPAKDesigned for low voltage, high speed switching applications inhttp://onsemi.compower supplies, converters and power motor controls and bridgecircuits.VDSS RDS(ON) TYP ID MAXFeatures Smaller Package than MTB30N06VL60 V23.7 mW32 A Lower RDS(on), VDS(on), and Total Gate Charge Lower and Tighter

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History: SM6F03NSFP | 24NM60G-TQ2-T | SSM4502GM | FQD20N06L | FPF1C2P5BF07A | SGSP341 | AOK160A60FDL

 

 
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