NTD4302-1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NTD4302-1G
   Código: T4302
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 75 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 68 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
   Carga de la puerta (Qg): 55 nC
   Tiempo de subida (tr): 15 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 640 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK

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NTD4302-1G Datasheet (PDF)

..1. Size:108K onsemi
ntd4302-1g.pdf

NTD4302Power MOSFET68 A, 30 V, N-Channel DPAKFeatures Ultra Low RDS(on) Higher Efficiency Extending Battery Lifehttp://onsemi.com Logic Level Gate Drive Diode Exhibits High Speed, Soft RecoveryV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Avalanche Energy Specified30 V 7.8 mW @ 10 V 68 A IDSS Specified at Elevated Temperature DPAK Mounting Information Provided

6.1. Size:112K onsemi
ntd4302-d.pdf

7.1. Size:138K onsemi
ntd4302.pdf

NTD4302MOSFET Power,N-Channel, DPAK/IPAK68 A, 30 VFeatureshttp://onsemi.com Ultra Low RDS(on) Higher Efficiency Extending Battery LifeV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Logic Level Gate Drive30 V 7.8 mW @ 10 V 68 A Diode Exhibits High Speed, Soft Recovery Avalanche Energy SpecifiedD IDSS Specified at Elevated Temperature DPAK Mounting Information

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