NTD4302-1G Todos los transistores

 

NTD4302-1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTD4302-1G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 68 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 640 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

NTD4302-1G Datasheet (PDF)

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NTD4302-1G

NTD4302Power MOSFET68 A, 30 V, N-Channel DPAKFeatures Ultra Low RDS(on) Higher Efficiency Extending Battery Lifehttp://onsemi.com Logic Level Gate Drive Diode Exhibits High Speed, Soft RecoveryV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Avalanche Energy Specified30 V 7.8 mW @ 10 V 68 A IDSS Specified at Elevated Temperature DPAK Mounting Information Provided

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NTD4302-1G

NTD4302Power MOSFET68 A, 30 V, N-Channel DPAKFeatures Ultra Low RDS(on) Higher Efficiency Extending Battery Lifehttp://onsemi.com Logic Level Gate Drive Diode Exhibits High Speed, Soft RecoveryV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Avalanche Energy Specified30 V 7.8 mW @ 10 V 68 A IDSS Specified at Elevated Temperature DPAK Mounting Information Provided

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NTD4302-1G

NTD4302MOSFET Power,N-Channel, DPAK/IPAK68 A, 30 VFeatureshttp://onsemi.com Ultra Low RDS(on) Higher Efficiency Extending Battery LifeV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Logic Level Gate Drive30 V 7.8 mW @ 10 V 68 A Diode Exhibits High Speed, Soft Recovery Avalanche Energy SpecifiedD IDSS Specified at Elevated Temperature DPAK Mounting Information

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History: NTB6410AN | SDF1NA60

 

 
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