NTD4813N-1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NTD4813N-1G
   Código: 4813N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 35.3 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 40 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 6.9 nC
   Tiempo de subida (tr): 19.3 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 201 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.013 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK IPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTD4813N-1G

NTD4813N-1G Datasheet (PDF)

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NTD4813NPower MOSFET30 V, 40 A, Single N--Channel, DPAK/IPAKFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losseshttp://onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses These are Pb--Free DevicesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXApplications13 m @10V CPU Power Delivery30 V40 A24 m @4.5 V DC--DC Co

6.1. Size:897K onsemi
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NTD4813NH, NVD4813NHPower MOSFET30 V, 40 A, Single N-Channel, DPAK/IPAKFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losseshttp://onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses Low RGV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVD4813NH These Devices are Pb-Free and are RoHS Comp

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NTD4813NHPower MOSFET30 V, 40 A, Single N--Channel, DPAK/IPAKFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losseshttp://onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses Low RGV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These are Pb--Free Devices13 m @10VApplications30 V40 A25.9 m @4.5 V CPU Power Delivery

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