NTD4813N-1G. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: NTD4813N-1G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35.3 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 19.3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 201 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
Аналог (замена) для NTD4813N-1G
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
NTD4813N-1G даташит
ntd4813n-1g ntd4813n-d.pdf
NTD4813N Power MOSFET 30 V, 40 A, Single N--Channel, DPAK/IPAK Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses http //onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses These are Pb--Free Devices V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Applications 13 m @10V CPU Power Delivery 30 V 40 A 24 m @4.5 V DC--DC Co
ntd4813nh-1g.pdf
NTD4813NH, NVD4813NH Power MOSFET 30 V, 40 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses http //onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses Low RG V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVD4813NH These Devices are Pb-Free and are RoHS Comp
ntd4813nh-d.pdf
NTD4813NH Power MOSFET 30 V, 40 A, Single N--Channel, DPAK/IPAK Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses http //onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses Low RG V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These are Pb--Free Devices 13 m @10V Applications 30 V 40 A 25.9 m @4.5 V CPU Power Delivery
Другие MOSFET... NTD4805N-1G , NTD4805NT4G , NTD4806N-1G , NTD4809N-1G , NTD4809NA-1G , NTD4809NH-1G , NTD4810N-1G , NTD4810NH-1G , IRF530 , NTD4813NH-1G , NTD4815N-1G , NTD4815NH-1G , NTD4815NT4G , NTD4854N-1G , NTD4855N-1G , NTD4856N-1G , NTD4857N-1G .
History: IPD079N06L3
History: IPD079N06L3
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
irfz24n | bd135 | d880 | 2n5457 equivalent | 2sc945 replacement | 9014 transistor | irfp260n datasheet | irfp250m




