HY3208B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HY3208B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 226 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 80 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 120 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 70 nC
   Tiempo de subida (tr): 35 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 443 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0085 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HY3208B

HY3208B Datasheet (PDF)

8.1. Size:739K hymexa
hy3208.pdf

HY3208P/M/B/PS/PMAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating Unit Common Ratings (TC=25C Unless Otherwise Noted) VDSS Drain-Source Voltage 80 V VGSS Gate-Source Voltage 25 TJ Maximum Junction Temperature 175 C TSTG Storage Temperature Range 55 to 175 C -IS Diode Continuous Forward Current TC=25C 120 A Mounted on Large Heat Sink IDM Pulsed Drain Current * T

8.2. Size:1032K hymexa
hy3208ap hy3208am hy3208ab hy3208aps hy3208apm.pdf

HY3208AP/M/B/PS/PMN-Channel Enhancement Mode MOSFETPin Descriptioneatures F 80V/120ARDS(ON)= 5.5 m(typ.) @ VGS=10VSDGSD 100% avalanche tested GSDG Reliable and RuggedTO-220FB-3L TO-220FB-3S TO-263-2L Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)SDGSDGTO-3PS-3L TO-3PM-3SApplications Power Management for Inverter

9.1. Size:1133K 1
hy3203c2.pdf

HY3203C2Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Description Pin Description 30V/120AD D D D D D D DRDS(ON)= 1.9m(typ.) @VGS = 10VRDS(ON)= 2.5m(typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and RuggedS S S G G S S S Halogen- Free Devices AvailablePin1 PPAK5*6-8L Applications Switching Application Power Management for DC/DCN-Channel MOSFET

9.2. Size:1133K hymexa
hy3203c2.pdf