HY3208B - аналоги и даташиты транзистора

 

HY3208B - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HY3208B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 226 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 443 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для HY3208B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY3208B Datasheet (PDF)

 8.1. Size:739K  hymexa
 hy3208.pdf pdf_icon

HY3208B

HY3208P/M/B/PS/PMAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating Unit Common Ratings (TC=25C Unless Otherwise Noted) VDSS Drain-Source Voltage 80 V VGSS Gate-Source Voltage 25 TJ Maximum Junction Temperature 175 C TSTG Storage Temperature Range 55 to 175 C -IS Diode Continuous Forward Current TC=25C 120 A Mounted on Large Heat Sink IDM Pulsed Drain Current * T

 8.2. Size:1032K  hymexa
 hy3208ap hy3208am hy3208ab hy3208aps hy3208apm.pdf pdf_icon

HY3208B

HY3208AP/M/B/PS/PMN-Channel Enhancement Mode MOSFETPin Descriptioneatures F 80V/120ARDS(ON)= 5.5 m(typ.) @ VGS=10VSDGSD 100% avalanche tested GSDG Reliable and RuggedTO-220FB-3L TO-220FB-3S TO-263-2L Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)SDGSDGTO-3PS-3L TO-3PM-3SApplications Power Management for Inverter

 9.1. Size:1133K  1
 hy3203c2.pdf pdf_icon

HY3208B

HY3203C2Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Description Pin Description 30V/120AD D D D D D D DRDS(ON)= 1.9m(typ.) @VGS = 10VRDS(ON)= 2.5m(typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and RuggedS S S G G S S S Halogen- Free Devices AvailablePin1 PPAK5*6-8L Applications Switching Application Power Management for DC/DCN-Channel MOSFET

 9.2. Size:1133K  hymexa
 hy3203c2.pdf pdf_icon

HY3208B

HY3203C2Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Description Pin Description 30V/120AD D D D D D D DRDS(ON)= 1.9m(typ.) @VGS = 10VRDS(ON)= 2.5m(typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and RuggedS S S G G S S S Halogen- Free Devices AvailablePin1 PPAK5*6-8L Applications Switching Application Power Management for DC/DCN-Channel MOSFET

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 2SJ0672 , 7N60L-A-TA3 , 7N60L-B-TA3 , 7N60L-A-TF3 , 7N60L-B-TF3 , DFP50N06 , HY3208P , HY3208M , IRFZ48N , HY3208PS , HY3208PM , PK502BA , SP8M3 , SPP80N06S2-09 , SPB80N06S2-09 , SST4091 , SST4092 .

History: SHD224622 | SVF4N150PF | LND10R040W3 | YJL02N10A | AP09N50I-HF | PNMT60V02E

 

 
Back to Top

 


 
.