SPB80N06S2-09 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SPB80N06S2-09
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 190 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 610 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0091 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de SPB80N06S2-09 MOSFET
SPB80N06S2-09 Datasheet (PDF)
spb80n06s2-09 spp80n06s2-09.pdf

SPP80N06S2-09Preliminary dataSPB80N06S2-09OptiMOS =Power-Transistor===Product SummaryFeatureVDS55 V N-ChannelRDS(on) 9.1 m Enhancement modeID 80 A 175C operating temperatureP-TO263-3-2 P-TO220-3-1 Avalanche rated dv/dt ratedType Package Ordering Code MarkingSPP80N06S2-09 P-TO220-3-1 Q67060-S60252N0609SPB80N06S2-09 P-TO263-3-2 Q67060-S6027 2N0609Maxi
spp80n06s2-05 spb80n06s2-05.pdf

www.DataSheet4U.com SPP80N06S2-05SPB80N06S2-05OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeatureVDS 55 V N-ChannelRDS(on) max. SMD version 4.8 m Enhancement modeID 80 A 175C operating temperatureP- TO263 -3-2 P- TO220 -3-1 Avalanche rated dv/dt ratedType Package Ordering Code MarkingSPP80N06S2-05 P- TO220 -3-1 Q67040-S42452N0605SPB80N06S2-05
spp80n06s2-08 spb80n06s2-08 spi80n06s2-08.pdf

SPI80N06S2-08SPP80N06S2-08,SPB80N06S2-08OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeatureVDS55 V N-ChannelRDS(on) 8 m Enhancement modeID 80 A 175C operating temperatureP- TO262 -3-1 P- TO263 -3-2 P- TO220 -3-1 Avalanche rated dv/dt ratedType Package Ordering Code MarkingSPP80N06S2-08 P- TO220 -3-1 Q67060-S42832N0608SPB80N06S2-08 P- TO263 -
spp80n06s2l-09 spb80n06s2l-09.pdf

SPP80N06S2L-09SPB80N06S2L-09OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeatureVDS55 V N-ChannelRDS(on) 8.5 m Enhancement modeID 80 A Logic LevelP- TO263 -3-2 P- TO220 -3-1 175C operating temperature Avalanche rated dv/dt ratedType Package Ordering Code MarkingSPP80N06S2L-09 P- TO220 -3-1 Q67060-S60312N06L09SPB80N06S2L-09 P- TO263 -3-2
Otros transistores... HY3208P , HY3208M , HY3208B , HY3208PS , HY3208PM , PK502BA , SP8M3 , SPP80N06S2-09 , AO4468 , SST4091 , SST4092 , SST4093 , SVF2N65F , TPHR8504PL , TSF65R300S1 , UFZ24NL-TA3 , UFZ24NL-TM3 .
History: IXFC16N80P | IRF4104PBF | 2SK1905 | IXFH28N60P3 | H4946S | APT6025BVRG | 9N90G-TF1-T
History: IXFC16N80P | IRF4104PBF | 2SK1905 | IXFH28N60P3 | H4946S | APT6025BVRG | 9N90G-TF1-T



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2sc1969 transistor | bcy21 | s8550 datasheet | mj50ac100 | 2sc1318 replacement | 2n3905 | mj15023 | tip36c transistor