TPHR8504PL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TPHR8504PL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 170 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 150 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.4 V
   Carga de la puerta (Qg): 49 nC
   Tiempo de subida (tr): 13 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1930 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.00085 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-ADVANCE

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TPHR8504PL

TPHR8504PL Datasheet (PDF)

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TPHR8504PLMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TPHR8504PLTPHR8504PLTPHR8504PLTPHR8504PL1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Switching Voltage Regulators Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Small gate charge: QSW = 23 nC (typ.)(3) Small out

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Liste

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