TPHR8504PL Todos los transistores

 

TPHR8504PL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TPHR8504PL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 170 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1930 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00085 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-ADVANCE
 

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TPHR8504PL Datasheet (PDF)

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TPHR8504PL

TPHR8504PLMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TPHR8504PLTPHR8504PLTPHR8504PLTPHR8504PL1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Switching Voltage Regulators Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Small gate charge: QSW = 23 nC (typ.)(3) Small out

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History: PSMN5R8-40YS | GC11N65K

 

 
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