Справочник MOSFET. TPHR8504PL

 

TPHR8504PL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TPHR8504PL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1930 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00085 Ohm
   Тип корпуса: SOP-ADVANCE
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TPHR8504PL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:462K  toshiba
 tphr8504pl.pdf pdf_icon

TPHR8504PL

TPHR8504PLMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TPHR8504PLTPHR8504PLTPHR8504PLTPHR8504PL1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Switching Voltage Regulators Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Small gate charge: QSW = 23 nC (typ.)(3) Small out

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: S-LBSS138LT1G | BF964S | STD1NK80Z-1 | BSC032N03SG | JCS6N70V | SI12N60-F | SE100P60

 

 
Back to Top

 


 
.