NTD60N02R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NTD60N02R
   Código: T60N02R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 58 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 25 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 50 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2 V
   Carga de la puerta (Qg): 9.5 nC
   Tiempo de subida (tr): 33 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 480 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0105 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTD60N02R

NTD60N02R Datasheet (PDF)

..1. Size:79K onsemi
ntd60n02r-035 ntd60n02r ntd60n02r.pdf

NTD60N02RPower MOSFET62 A, 25 V, N-Channel, DPAKFeatures Planar HD3e Process for Fast Switching Performancehttp://onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Loss Low Ciss to Minimize Driver LossV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Low Gate Charge25 V 8.4 mW @ 10 V 62 A Optimized for High Side Switching Requirements inHigh-Efficiency DC-DC Converters Pb-Free

7.1. Size:231K onsemi
ntd60n03-001.pdf

NTD60N03Power MOSFET60 Amps, 28 VoltsN-Channel DPAKDesigned for low voltage, high speed switching applications inpower supplies, converters and power motor controls and bridgehttp://onsemi.comcircuits.V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAXTypical Applications28 V 6.1 mW 60 A Power Supplies ConvertersN-Channel Power Motor ControlsD Bridge CircuitsMAXIMUM RATING

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: