NTD60N02R MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTD60N02R
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 58 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 480 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0105 Ohm
Encapsulados: DPAK
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NTD60N02R datasheet
ntd60n02r-035 ntd60n02r ntd60n02r.pdf
NTD60N02R Power MOSFET 62 A, 25 V, N-Channel, DPAK Features Planar HD3e Process for Fast Switching Performance http //onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Loss Low Ciss to Minimize Driver Loss V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Low Gate Charge 25 V 8.4 mW @ 10 V 62 A Optimized for High Side Switching Requirements in High-Efficiency DC-DC Converters Pb-Free
ntd60n03-001.pdf
NTD60N03 Power MOSFET 60 Amps, 28 Volts N-Channel DPAK Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls and bridge http //onsemi.com circuits. V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Typical Applications 28 V 6.1 mW 60 A Power Supplies Converters N-Channel Power Motor Controls D Bridge Circuits MAXIMUM RATING
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