NTD60N02R-035 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NTD60N02R-035
   Código: T60N02R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 58 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 9.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 480 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0105 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK

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NTD60N02R-035 Datasheet (PDF)

..1. Size:79K onsemi
ntd60n02r-035 ntd60n02r ntd60n02r.pdf

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7.1. Size:231K onsemi
ntd60n03-001.pdf

NTD60N03Power MOSFET60 Amps, 28 VoltsN-Channel DPAKDesigned for low voltage, high speed switching applications inpower supplies, converters and power motor controls and bridgehttp://onsemi.comcircuits.V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAXTypical Applications28 V 6.1 mW 60 A Power Supplies ConvertersN-Channel Power Motor ControlsD Bridge CircuitsMAXIMUM RATING

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History: AONS30300 | S40N09RP | IRFB4115PBF

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