NTD60N02R-035 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NTD60N02R-035  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 58 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm

Тип корпуса: DPAK

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NTD60N02R-035

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTD60N02R-035 даташит

 ..1. Size:79K  onsemi
ntd60n02r-035 ntd60n02r ntd60n02r.pdfpdf_icon

NTD60N02R-035

NTD60N02R Power MOSFET 62 A, 25 V, N-Channel, DPAK Features Planar HD3e Process for Fast Switching Performance http //onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Loss Low Ciss to Minimize Driver Loss V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Low Gate Charge 25 V 8.4 mW @ 10 V 62 A Optimized for High Side Switching Requirements in High-Efficiency DC-DC Converters Pb-Free

 7.1. Size:231K  onsemi
ntd60n03-001.pdfpdf_icon

NTD60N02R-035

NTD60N03 Power MOSFET 60 Amps, 28 Volts N-Channel DPAK Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls and bridge http //onsemi.com circuits. V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Typical Applications 28 V 6.1 mW 60 A Power Supplies Converters N-Channel Power Motor Controls D Bridge Circuits MAXIMUM RATING

Другие IGBT... TPHR8504PL, TSF65R300S1, UFZ24NL-TA3, UFZ24NL-TM3, UFZ24NL-TN3, NTD5865N-1G, NTD5867NL-1G, NTD60N02R, IRFB4110, NTD60N03-001, NTD6414AN-1G, NTD6415AN-1G, NTD6416AN-1G, NTD65N03R, NTD65N03R-035, NTD65N03R-1G, NTD6600N