NTD60N02R-035 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: NTD60N02R-035
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 58 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm
Тип корпуса: DPAK
NTD60N02R-035 Datasheet (PDF)
ntd60n02r-035 ntd60n02r ntd60n02r.pdf

NTD60N02RPower MOSFET62 A, 25 V, N-Channel, DPAKFeatures Planar HD3e Process for Fast Switching Performancehttp://onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Loss Low Ciss to Minimize Driver LossV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Low Gate Charge25 V 8.4 mW @ 10 V 62 A Optimized for High Side Switching Requirements inHigh-Efficiency DC-DC Converters Pb-Free
ntd60n03-001.pdf

NTD60N03Power MOSFET60 Amps, 28 VoltsN-Channel DPAKDesigned for low voltage, high speed switching applications inpower supplies, converters and power motor controls and bridgehttp://onsemi.comcircuits.V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAXTypical Applications28 V 6.1 mW 60 A Power Supplies ConvertersN-Channel Power Motor ControlsD Bridge CircuitsMAXIMUM RATING
Другие MOSFET... TPHR8504PL , TSF65R300S1 , UFZ24NL-TA3 , UFZ24NL-TM3 , UFZ24NL-TN3 , NTD5865N-1G , NTD5867NL-1G , NTD60N02R , IRFZ44 , NTD60N03-001 , NTD6414AN-1G , NTD6415AN-1G , NTD6416AN-1G , NTD65N03R , NTD65N03R-035 , NTD65N03R-1G , NTD6600N .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1018AG | JMSL1013AGD | JMSL10130PUD | JMSL10130AY | JMSL10130AUD | JMSL10130APD | JMSL10130AP | JMSL10130AM | JMSL10130AL | JMSL10130AK | JMSL10130AGD | JMSL1009PUN | JMSL1009PP | JMSL1009PK | JMSL1009PG | JMSL1009PF
Popular searches
2sa726 | 2sd313 | 2sc536 | d718 transistor | irfp250n datasheet | 2n5550 | 2sd1047 | 2n3035