NTD80N02 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTD80N02
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 24 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 67 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 900 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0058 Ohm
Encapsulados: DPAK
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NTD80N02 datasheet
ntd80n02-001 ntd80n02-1g ntd80n02t4 ntd80n02 ntd80n02g.pdf
NTD80N02 Power MOSFET 24 V, 80 A, N-Channel DPAK Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls and bridge circuits. http //onsemi.com Features V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant 24 V 5.0 mW 80 A Typical Applications Power Supplies N-Channel Converters D
ntd80n02-d.pdf
NTD80N02 Power MOSFET 24 V, 80 A, N-Channel DPAK Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls and bridge circuits. http //onsemi.com Features V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant 24 V 5.0 mW 80 A Typical Applications Power Supplies N-Channel Converters D
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History: AP4501CGM-HF | ME3205T-G | VSF600N70HS
History: AP4501CGM-HF | ME3205T-G | VSF600N70HS
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