NTD80N02-1G Todos los transistores

 

NTD80N02-1G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTD80N02-1G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 24 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 67 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 900 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0058 Ohm

Encapsulados: DPAK

 Búsqueda de reemplazo de NTD80N02-1G MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

NTD80N02-1G datasheet

 ..1. Size:113K  onsemi
 ntd80n02-001 ntd80n02-1g ntd80n02t4 ntd80n02 ntd80n02g.pdf pdf_icon

NTD80N02-1G

NTD80N02 Power MOSFET 24 V, 80 A, N-Channel DPAK Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls and bridge circuits. http //onsemi.com Features V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant 24 V 5.0 mW 80 A Typical Applications Power Supplies N-Channel Converters D

 5.1. Size:118K  onsemi
 ntd80n02-d.pdf pdf_icon

NTD80N02-1G

NTD80N02 Power MOSFET 24 V, 80 A, N-Channel DPAK Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls and bridge circuits. http //onsemi.com Features V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant 24 V 5.0 mW 80 A Typical Applications Power Supplies N-Channel Converters D

Otros transistores... NTD65N03R-035 , NTD65N03R-1G , NTD6600N , NTD70N03R-001 , NTD70N03RG , NTD78N03 , NTD80N02 , NTD80N02-001 , P55NF06 , NTD80N02G , NTD80N02T4 , NTD85N02R , NTD85N02R-001 , NTD85N02R-1G , NTD85N02RT4 , NTD95N02R , NTD95N02R-1G .

History: SE150110G | SFS06R10DF | AOD4120

 

 

 

 

↑ Back to Top
.