NTD80N02-1G Todos los transistores

 

NTD80N02-1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTD80N02-1G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 24 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 67 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 900 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0058 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

NTD80N02-1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:113K  onsemi
 ntd80n02-001 ntd80n02-1g ntd80n02t4 ntd80n02 ntd80n02g.pdf pdf_icon

NTD80N02-1G

NTD80N02Power MOSFET24 V, 80 A, N-Channel DPAKDesigned for low voltage, high speed switching applications inpower supplies, converters and power motor controls and bridgecircuits.http://onsemi.comFeaturesV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant24 V 5.0 mW 80 ATypical Applications Power SuppliesN-Channel ConvertersD

 5.1. Size:118K  onsemi
 ntd80n02-d.pdf pdf_icon

NTD80N02-1G

NTD80N02Power MOSFET24 V, 80 A, N-Channel DPAKDesigned for low voltage, high speed switching applications inpower supplies, converters and power motor controls and bridgecircuits.http://onsemi.comFeaturesV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant24 V 5.0 mW 80 ATypical Applications Power SuppliesN-Channel ConvertersD

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History: VBZE50P03 | FCH20N60 | NCE65N260F | IPB60R190C6

 

 
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