Справочник MOSFET. NTD80N02-1G

 

NTD80N02-1G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTD80N02-1G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 24 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 67 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 900 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0058 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для NTD80N02-1G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTD80N02-1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:113K  onsemi
 ntd80n02-001 ntd80n02-1g ntd80n02t4 ntd80n02 ntd80n02g.pdf pdf_icon

NTD80N02-1G

NTD80N02Power MOSFET24 V, 80 A, N-Channel DPAKDesigned for low voltage, high speed switching applications inpower supplies, converters and power motor controls and bridgecircuits.http://onsemi.comFeaturesV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant24 V 5.0 mW 80 ATypical Applications Power SuppliesN-Channel ConvertersD

 5.1. Size:118K  onsemi
 ntd80n02-d.pdf pdf_icon

NTD80N02-1G

NTD80N02Power MOSFET24 V, 80 A, N-Channel DPAKDesigned for low voltage, high speed switching applications inpower supplies, converters and power motor controls and bridgecircuits.http://onsemi.comFeaturesV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant24 V 5.0 mW 80 ATypical Applications Power SuppliesN-Channel ConvertersD

Другие MOSFET... NTD65N03R-035 , NTD65N03R-1G , NTD6600N , NTD70N03R-001 , NTD70N03RG , NTD78N03 , NTD80N02 , NTD80N02-001 , IRFB4115 , NTD80N02G , NTD80N02T4 , NTD85N02R , NTD85N02R-001 , NTD85N02R-1G , NTD85N02RT4 , NTD95N02R , NTD95N02R-1G .

History: STV200N55F3 | CED3172 | CEU83A3

 

 
Back to Top

 


 
.