NTD85N02R-1G Todos los transistores

 

NTD85N02R-1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTD85N02R-1G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 24 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 77 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 871 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0052 Ohm
   Paquete / Cubierta: IPAK
 

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NTD85N02R-1G Datasheet (PDF)

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NTD85N02R-1G

NTD85N02RPower MOSFET24 Volts, 85 AmpsSingle N-Channel,DPAK/IPAKhttp://onsemi.comFeatures Planar HD3e Process for Fast Switching PerformanceV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses24 V 5.2 mW @ 10 V 85 A Low Gate Charge to Minimize Switching Losses Pb-Free Packages are AvailableN-Ch

 5.1. Size:83K  onsemi
 ntd85n02r.pdf pdf_icon

NTD85N02R-1G

NTD85N02RPower MOSFET85 Amps, 24 VoltsN-Channel DPAKFeatureshttp://onsemi.com Pb-Free Packages are Available Planar HD3e Process for Fast Switching Performance VDSS RDS(ON) TYP ID MAX Low RDS(on) to Minimize Conduction Loss24 V4.8 mW85 A Low Ciss to Minimize Driver Loss Low Gate ChargeN-ChannelDMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C Unless otherwise specified

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History: STL90N3LLH6 | STU336S | NCE70N1K1K | AP72T02GH | 2SK664 | GP1M023A050N

 

 
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