NTD95N02RT4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NTD95N02RT4
   Código: T95N02R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 86 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 24 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 32 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2 V
   Carga de la puerta (Qg): 21 nC
   Tiempo de subida (tr): 82 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1020 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK

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NTD95N02RT4 Datasheet (PDF)

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ntd95n02r-1g ntd95n02r ntd95n02rt4 ntd95n02r-d.pdf

NTD95N02RPower MOSFET95 Amps, 24 VoltsN-Channel DPAKFeatureshttp://onsemi.com High Power and Current Handling CapabilityV(BR)DSS RDS(ON) TYP ID MAX* Fast Switching Performance4.5 mW @ 10 V Low RDS(on) to Minimize Conduction Loss24 V 95 A5.9 mW @ 4.5 V Low Gate Charge to Minimize Switching Losses*ID MAX in the product summary table is continuous Pb-Fr

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Liste

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