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NTDV18N06LT4G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTDV18N06LT4G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 55 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 15 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 79 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 166 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm

Encapsulados: DPAK

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NTDV18N06LT4G datasheet

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NTDV18N06LT4G

NTD18N06L, NTDV18N06L Power MOSFET 18 A, 60 V, Logic Level N-Channel DPAK Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls and bridge circuits. http //onsemi.com Features V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX AEC Q101 Qualified - NTDV18N06L 18 A These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant 60 V 54 mW@5.0 V (Note 1)

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NTDV18N06LT4G

NTD18N06L, NTDV18N06L Power MOSFET 18 A, 60 V, Logic Level N-Channel DPAK Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls and bridge circuits. www.onsemi.com Features V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX AEC Q101 Qualified - NTDV18N06L 18 A These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant 60 V 54 mW@5.0 V (Note 1) T

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History: FTK7002K

 

 

 

 

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