NTDV18N06LT4G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTDV18N06LT4G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 55 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 79 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 166 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
Paquete / Cubierta: DPAK
Búsqueda de reemplazo de NTDV18N06LT4G MOSFET
NTDV18N06LT4G Datasheet (PDF)
ntd18n06lg ntdv18n06lt4g.pdf

NTD18N06L, NTDV18N06LPower MOSFET18 A, 60 V, Logic Level N-Channel DPAKDesigned for low voltage, high speed switching applications inpower supplies, converters and power motor controls and bridgecircuits.http://onsemi.comFeaturesV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX AEC Q101 Qualified - NTDV18N06L18 A These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant60 V 54 mW@5.0 V(Note 1)
ntd18n06l ntdv18n06l.pdf

NTD18N06L, NTDV18N06LPower MOSFET18 A, 60 V, Logic Level N-Channel DPAKDesigned for low voltage, high speed switching applications inpower supplies, converters and power motor controls and bridgecircuits.www.onsemi.comFeaturesV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX AEC Q101 Qualified - NTDV18N06L18 A These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant60 V 54 mW@5.0 V(Note 1)T
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History: 2SK1865 | 2SK3153 | HM8810S | AP10TN040H | SI4410DYPBF | 2SK2943 | NCE60N700D
History: 2SK1865 | 2SK3153 | HM8810S | AP10TN040H | SI4410DYPBF | 2SK2943 | NCE60N700D



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