NTF2955PT1G Todos los transistores

 

NTF2955PT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTF2955PT1G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 1.7 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Carga de compuerta (Qg): 14.3 nC

Tiempo de elevación (tr): 7.6 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 165 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.17 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT-223

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTF2955PT1G

 

NTF2955PT1G Datasheet (PDF)

1.1. ntf2955pt1g ntf2955t1g.pdf Size:131K _update-mosfet

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NTF2955, NVF2955, NVF2955P Power MOSFET -60 V, -2.6 A, Single P-Channel SOT-223 Features • TMOS7 Design for low RDS(on) http://onsemi.com • Withstands High Energy in Avalanche and Commutation Modes V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX • AEC Q101 Qualified - NVF2955, NVF2955P -60 V 145 mW @ -10 V -2.6 A • These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant P-Channel Applications • Pow

3.1. ntf2955-p.pdf Size:110K _onsemi

NTF2955PT1G
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NTF2955, NTF2955P Power MOSFET -60 V, -2.6 A, Single P-Channel SOT-223 Features TMOS7 Design for low RDS(on) Withstands High Energy in Avalanche and Commutation Modes http://onsemi.com Pb-Free Packages are Available Applications V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Power Supplies -60 V 145 mW @ -10 V -2.6 A PWM Motor Control P-Channel Converters D Power Management MAXIMUM RAT

 

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