NTF2955PT1G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NTF2955PT1G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.7 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 14.3 nC
trⓘ - Время нарастания: 7.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm
Тип корпуса: SOT-223
Аналог (замена) для NTF2955PT1G
NTF2955PT1G Datasheet (PDF)
ntf2955pt1g ntf2955t1g.pdf
NTF2955, NVF2955,NVF2955PPower MOSFET-60 V, -2.6 A, Single P-Channel SOT-223Features TMOS7 Design for low RDS(on) http://onsemi.com Withstands High Energy in Avalanche and Commutation ModesV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX AEC Q101 Qualified - NVF2955, NVF2955P-60 V 145 mW @ -10 V -2.6 A These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantP-ChannelApplications Pow
ntf2955pt1g.pdf
NTF2955PT1Gwww.VBsemi.twP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) 100 % UIS Tested0.055 at VGS = - 10 V - 7.0APPLICATIONS- 60 30 nC0.065 at VGS = - 4.5 V - 6.0 Load SwitchSSOT-223GDSDGDP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unless otherwise noted)Para
ntf2955 nvf2955 nvf2955p.pdf
NTF2955, NVF2955,NVF2955PPower MOSFET-60 V, -2.6 A, Single P-Channel SOT-223Features Design for low RDS(on) http://onsemi.com Withstands High Energy in Avalanche and Commutation ModesV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX AEC-Q101 Qualified - NVF2955, NVF2955P-60 V 145 mW @ -10 V -2.6 A These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantApplications P-Channel Power Supp
ntf2955 nvf2955.pdf
NTF2955, NVF2955Power MOSFET-60 V, -2.6 A, Single P-Channel SOT-223Features Design for low RDS(on) Withstands High Energy in Avalanche and Commutation Modeshttp://onsemi.com AEC-Q101 Qualified - NVF2955 These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX-60 V 145 mW @ -10 V -2.6 AApplications Power SuppliesP-Channel PWM Motor
ntf2955-p.pdf
NTF2955, NTF2955PPower MOSFET-60 V, -2.6 A, Single P-Channel SOT-223Features TMOS7 Design for low RDS(on) Withstands High Energy in Avalanche and Commutation Modeshttp://onsemi.com Pb-Free Packages are AvailableApplicationsV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Power Supplies-60 V 145 mW @ -10 V -2.6 A PWM Motor ControlP-Channel ConvertersD Power Manage
ntf2955t1g.pdf
NTF2955T1Gwww.VBsemi.twP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) 100 % UIS Tested0.055 at VGS = - 10 V - 7.0APPLICATIONS- 60 30 nC0.065 at VGS = - 4.5 V - 6.0 Load SwitchSSOT-223GDSDGDP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unless otherwise noted)Param
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , RFP50N06 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918