NTF5P03 Todos los transistores

 

NTF5P03 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTF5P03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.13 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 153 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-223
 

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NTF5P03 datasheet

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NTF5P03

NTF5P03, NVF5P03 Power MOSFET -5.2 A, -30 V P-Channel SOT-223 http //onsemi.com Features Ultra Low RDS(on) -5.2 AMPERES, -30 VOLTS Higher Efficiency Extending Battery Life RDS(on) = 100 mW Logic Level Gate Drive Miniature SOT-223 Surface Mount Package Avalanche Energy Specified S AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVF5P03T3G These Devices are Pb-Free

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NTF5P03

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NTF5P03

NTF5P03T3G www.VBsemi.tw P-Channel 35 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) Definition 0.050 at VGS = - 10 V - 6.2 TrenchFET Power MOSFET - 35 9.8 nC 0.060 at VGS = - 4.5 V - 5.1 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC S APPLICATIONS Loa

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History: IXTX32P60P | FDN327N | TSM4NB60CH | SSS1004

 

 
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